【新启航】国产 VS 进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的性价比分析

本文通过对比国产与进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪在性能、价格、维护成本等方面的差异，深入分析两者的性价比，旨在为半导体制造企业及科研机构选购测量设备提供科学依据，助力优化资源配置。

引言

在第三代半导体产业蓬勃发展的背景下，碳化硅衬底的质量把控至关重要，晶圆总厚度变化（TTV）作为衡量碳化硅衬底质量的关键指标，其精确测量依赖专业的测量仪器。目前市场上，国产与进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪并存，两者在性能、价格、维护等方面存在诸多差异。开展性价比分析，有助于用户结合自身需求与预算，合理选择测量设备，提升资源利用效率。

性能参数对比

测量精度

进口测量仪凭借长期的技术积累，在测量精度上普遍具有优势。部分高端进口型号的测量精度可达纳米级，能够满足超精密测量需求，尤其适用于对精度要求极高的科研实验与高端器件制造 。相比之下，国产测量仪近年来虽在精度上取得显著进步，但多数产品的测量精度处于微米级水平，在超精密测量场景中与进口产品仍存在一定差距。

测量速度

在测量速度方面，进口测量仪通常配备先进的自动化控制系统与高效的数据处理算法，能够快速完成大面积碳化硅衬底的 TTV 测量，大幅提升检测效率 。国产测量仪在自动化程度和数据处理能力上稍显逊色，测量速度相对较慢，在大规模生产的快速抽检环节中，可能难以满足高效检测的需求。

功能多样性

进口测量仪功能丰富，除基本的 TTV 测量外，还集成了表面形貌分析、应力检测等多种功能模块，可为用户提供全面的衬底质量评估 。国产测量仪功能相对单一，以基础 TTV 测量为主，在功能拓展性上与进口产品存在差距，难以满足用户多样化的检测需求。

价格与成本对比

设备采购价格

国产碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪在价格上具有明显优势。由于研发成本、生产规模及市场定位等因素，国产设备的采购价格通常仅为进口设备的三分之一至二分之一 ，这对于预算有限的中小企业和科研机构极具吸引力，能够有效降低设备采购成本。

维护与运营成本

进口测量仪因零部件多依赖进口，且维修技术掌握在国外厂商手中，导致维护成本高昂，不仅零部件更换价格高，而且设备出现故障时，国外工程师的上门维修费用及时间成本也不容忽视 。国产测量仪在维护成本上优势显著，零部件供应充足且价格较低，国内技术团队能够快速响应维修需求，大幅降低设备停机时间和维护费用，有效控制运营成本。

性价比综合分析

从性能角度，进口测量仪在精度、速度和功能上占据优势，但价格和维护成本较高；国产测量仪虽然在性能上稍逊一筹，但其较低的采购和维护成本，使其在满足一般精度要求的生产和检测场景中，展现出良好的性价比 。对于追求极致精度和功能多样性的高端应用场景，进口测量仪更具价值；而对于预算有限、对精度要求适中的用户，国产测量仪则是更经济实惠的选择。

高通量晶圆测厚系统运用第三代扫频OCT技术，精准攻克晶圆/晶片厚度TTV重复精度不稳定难题，重复精度达3nm以下。针对行业厚度测量结果不一致的痛点，经不同时段测量验证，保障再现精度可靠。

我们的数据和WAFERSIGHT2的数据测量对比,进一步验证了真值的再现性：

（以上为新启航实测样品数据结果）

该系统基于第三代可调谐扫频激光技术，相较传统双探头对射扫描，可一次完成所有平面度及厚度参数测量。其创新扫描原理极大提升材料兼容性，从轻掺到重掺P型硅，到碳化硅、蓝宝石、玻璃等多种晶圆材料均适用：

对重掺型硅，可精准探测强吸收晶圆前后表面；

点扫描第三代扫频激光技术，有效抵御光谱串扰，胜任粗糙晶圆表面测量；

通过偏振效应补偿，增强低反射碳化硅、铌酸锂晶圆测量信噪比；

（以上为新启航实测样品数据结果）

支持绝缘体上硅和MEMS多层结构测量，覆盖μm级到数百μm级厚度范围，还可测量薄至4μm、精度达1nm的薄膜。

（以上为新启航实测样品数据结果）

此外，可调谐扫频激光具备出色的“温漂”处理能力，在极端环境中抗干扰性强，显著提升重复测量稳定性。

（以上为新启航实测样品数据结果）

系统采用第三代高速扫频可调谐激光器，摆脱传统SLD光源对“主动式减震pt”的依赖，凭借卓越抗干扰性实现小型化设计，还能与EFEM系统集成，满足产线自动化测量需求。运动控制灵活，适配2-12英寸方片和圆片测量。