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三星10nm跨越里程碑!Intel、台积电已抓狂

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命如玄霄

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发表于 2015-11-19 22:59:18
电梯直达 确定
楼主

在之前14/16nm工艺节点上,三星比TSMC更早量产FinFET工艺,进度只比Intel落后,这一代的工艺竞逐赛就这么定了。而在下一代10nm工艺上,三星、TSMC与Intel又开始较劲了,Intel比较谨慎,10nm工艺的Cannonlake至少要到2017年Q3季度才能问世,TSMC的10nm工艺已经冻结研发,明年初试产,而三星这次更进一步,率先使用10nm FinFET工艺生产了128Mbit SRAM缓存。


三星10nm跨越里程碑!Intel、台积电已抓狂三星10nm跨越里程碑!Intel、台积电已抓狂

三星电子日前宣布他们已经成功使用10nm FinFET工艺生产了128Mbit SRAM缓存,后者通常用于处理器的缓存(L1/L2/L3缓存等等),速度比DRAM内存要快得多,目前Intel、TSMC的SRAM缓存还是14、16nm工艺。三星这么快就生产出了10nm工艺的SRAM缓存说明他们的工艺进展很顺利。根据三星所说,与14nm工艺相比,其10nm SRAM缓存核心面积缩小了37.5%,如果应用于移动处理器,不仅性能更高,也有助于降低芯片核心面积。

三星10nm跨越里程碑!Intel、台积电已抓狂

三星10nm跨越里程碑!Intel、台积电已抓狂反观intel这边,原计划在2016年上半年面世的10nm Cannonlake平台将推迟到2017年下半年,也就是整整跳票1年半。虽然据说它会普及八核心,慢慢等吧,谁让这几年intel在桌面处理器上都没有什么竞争对手呢?不过话说回来,这么做表面上自然是为了避免和Kaby Lake共存于世,而深层次的原因或许是10nm工艺进展不如预期,以及市场环境也对其有所影响。

至于10nm量产时间,三星预计的时间点在2016年底,跟TSMC的乐观预计差不多,至少都比Intel的10nm工艺进度要快——不过前提是这两家公司都没吹牛,而且工艺进展一帆风顺。当然目前看来10nm的计划,还是三星的进展最为顺利。


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viewit2011

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发表于 2015-11-21 07:57:05 1楼
给力呀,期待

jiajunbb0213

jiajunbb0213


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发表于 2015-11-21 09:04:07 2楼
等到了1nm之后怎么办?

akai277

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发表于 2015-11-21 11:07:45 3楼
苹果iPhone6S手机,如果可以选,你会选 耗电效能差发热的 三星芯片版 或 各项指标都理想的台积电版?

wyanlichu

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发表于 2015-11-21 17:13:59 4楼

您的内容正在火速审核中,请稍等

s280714634

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精华

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发表于 2015-11-21 18:36:14 5楼
不思进取的intel,就等arm处理器用于桌面了。

killthindy

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发表于 2015-11-21 19:33:14 6楼

jiajunbb0213 发表于 2015-11-21 09:04:07

等到了1nm之后怎么办?

就0.1nm级别啊,这还不懂?

vv1wdvv

vv1wdvv


精华

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发表于 2015-11-21 20:28:25 7楼

jiajunbb0213 发表于 2015-11-21 09:04:07

等到了1nm之后怎么办?

不会的。理论上不能低于10nm。之后就会换介质了。

实话直说OMG

实话直说OMG


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发表于 2015-11-22 18:50:50 8楼

怀疑三星在吹牛B

wqxanadu

wqxanadu


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发表于 2015-11-22 23:38:45 9楼

目前的情况是技术先进的不成熟,技术成熟的不先进,但技术先进的总会成熟的,而技术成熟的要先进只能重来,而且当制程出现代差以后,台积电的那点成熟度就没有意义了。

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