取代FinFET：三星计划首发3nm GAA工艺芯片、性能约提高30%

据韩国媒体报道，三星电子事实上的领导人李在镕（Lee Jae-yong）今日讨论了三星利用全球首个3纳米工艺制造芯片的战略计划。

该报道称，李在镕今日参观了三星电子位于京畿道华城（Hwaseong）的半导体研发中心。这也是李在镕在2020年的首个官方行程，期间，他听取三星电子3纳米制程技术报告，并与半导体部门主管讨论了新一代半导体战略。

据三星电子称，李在镕讨论了三星计划采用正在研发中的最新3纳米全栅极（GAA）工艺技术来制造尖端芯片的计划。GAA被认为是当前FinFET技术的升级版，能确保芯片制造商进一步缩小芯片体积。

去年4月，三星电子完成了基于极端紫外线技术（EUV）的5纳米FinFET工艺技术的研发。如今，该公司正在研究下一代纳米工艺技术（即3纳米GAA）。三星电子表示，与5纳米制造工艺相比，3纳米GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。

对于李在镕此次参观半导体研发中心，三星发言人称：“李在镕今日访问半导体研发中心，再次凸显三星承诺成长为“非内存芯片”市场顶级制造商的决心。”当前，三星已是全球最大的内存芯片制造商。

去年，三星宣布了一项高达133万亿韩元（约合1118.5亿美元）的投资计划，目标是到2030年成为全球最大的“系统级芯片”（ SoC）制造商。