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浅析UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4

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中山狐

中山狐

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发表于 2017-04-21 02:37:50
电梯直达 确定
楼主

UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4这些名词讨论的很多,大部分网友还并不清楚这些名词究竟是什么意思、对手机又有哪些影响。

在了解UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4这些名词之前,我们有必要搞清楚内存与闪存的区别。

1.内存


浅析UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4

首先内存是计算机中重要的部件之一,它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的,因此内存的性能对计算机的影响非常大。而手机的RAM即我们常说的内存,是Random Access Memory的缩写,即随机存储器,是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存)。在工作状态时可以随机读写数据,断电以后会丢失数据。现在市场上主流的智能手机一般采用2G或者4G 的运行内存,当然也有些旗舰机型采用了6G 的运行内存。

在PC平台,内存经历了SIMM、EDO DRAM、SDRAM、Rambus DRAM、DDR的发展,到如今普及到DDR4内存,而手机上采用的LPDDR RAM是“低功耗双倍数据速率内存”的缩写,与桌面平台的DDR4内存相比,面向移动平台的LPDDR4,其能够在带来等效的性能(速度)的同时,兼顾更少的能源消耗。

2.闪存


浅析UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4

快闪存储器(英语:flash memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储,以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据,如储存卡与U盘。

闪存是舛冈富士雄在1984年于东芝公司工作时发明。当时,Intel看到了这项发明的巨大潜力,并于1988年推出第一款商业性的NOR Flash芯片。后来,东芝在1989年的国际固态电路研讨会(ISSCC)上又发布了NAND Flash。

NAND Flash具有较快的抹写时间,而且每个存储单元的面积也较小,这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。值得一提的是,如今广泛用于PC上的SSD和手机的ROM,本质上是一家人,都是NAND闪存。

3.eMMC


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eMMC的全称为“embedded Multi Media Card”,即嵌入式的多媒体存储卡。,eMMC是在NAND 闪存芯片的基础上,额外集成了主 控制器,并将二者“打包”封装成 一颗BGA芯片,从而大幅降低多芯 片的空间占用和布线难度问题,是 帮助移动设备瘦身的不二法门。

eMMC的速度取决于总线接口。目前, eMMC的总线接口主要以eMMC 4.4、eMMC4.5、eMMC 5.0(市场主流)、eMMC 5.1为主,它们的“理论带宽”分别为 104MB/s、200MB/s、400MB/s和600MB/s, 看起来还不错。

请注意,以上数据只是理论值,eMMC在 实际应用中的速度会大打折扣。以配备eMMC5.0的手机为例(如魅族MX5),它们实际测试的读取速度仅有180MB/s左右。


浅析UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4

4.UFS


浅析UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4

UFS 的全称是Universal Flash Storage,也就是通用闪存存储,这项标准首次出现时间是2011年2月,不过那个时候的UFS 1.1速度不算很快,只有300MB/s 。由于当时的eMMC 还在发展,在加上成本和兼容性问题,UFS 1.1 并没有进行广泛普及而最后销声匿迹了。

随后,联合电子设备工程协会 JEDEC 发布了全新的USF 2.0 标准,相比之前的标准,全新的USF 2.0 有两个版本,其中UFS 2.0 HS-G2的理论带宽为5.8Gbps,也就是大约740 MB/s,更快速的UFS 2.0 HS-G3的理论带宽更是达到了11.6Gbps,也就是约1.5GB/s,这个速度甚至比部分 SSD 还要快,几乎是目前最快的 eMMC 5.X的大约2.5倍之多。

总结起来就是,UFS 无论在速度还是性能还是功耗上都比 eMMC要强很多,但是相对应的成本也会比 eMMC 更贵。

去年3月,JEDEC又发布了UFS 2.1。它是UFS 2.0的迭代版,对早期的版本进行了部分改进,进一步强化它的优势。UFS 2.1的读取性能超出UFS 2.0一倍,而写入性能也要快了不少。



浅析UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4

总结起来就是,UFS 无论在速度还是性能还是功耗上都比 eMMC要强很多,但是相对应的成本也会比 eMMC 更贵。

去年3月,JEDEC又发布了UFS 2.1。它是UFS 2.0的迭代版,对早期的版本进行了部分改进,进一步强化它的优势。UFS 2.1的读取性能超出UFS 2.0一倍,而写入性能也要快了不少。

DDR/LPDDR

LPDDR全称是Low Power Double Data Rate SDRAM,是DDR的一种,又称为mDDR(Mobile DDR SDRAM),中文直译是低功耗双重数据比率,也就是实现低功耗指定的内存同其他设备的数据交换标准,以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电子产品。



浅析UFS2.0、eMMC 5.1、LPDDR4

简单来说,越先进的技术,速度越快,体验越好。至于你能不能感受得到?至少我是可以的

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1234zzhsd

1234zzhsd


精华

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发表于 2017-04-21 12:04:55 1楼
LPDDR4x

无薪税绵

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精华

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发表于 2017-04-21 13:07:05 2楼

谢谢楼主科普,长知识了。

neji029

neji029


精华

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发表于 2017-04-21 13:29:48 3楼

LPDDR又没说实际速度~~~

llseven

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精华

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发表于 2017-04-21 16:18:28 4楼
自从菊花被国民认可后,价格就开始猛涨,品控也无法保证

小小MM

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发表于 2017-04-22 17:23:05 5楼
为什么从数据上看LPDDR比DDR要牛逼?不适应该性能差一截吗?

七角雪

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发表于 2017-04-22 22:12:39 6楼

在华为眼里没区别,他们系统“优化”的好,什么EMMC、什么USF、什么DDR3、DDR4,在他们那这都不叫事。人家“系统好”。我怎么听都像是讲黑色幽默。

fishyumen

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发表于 2017-04-23 00:49:01 7楼

小小MM 发表于 2017-04-22 17:23:05

为什么从数据上看LPDDR比DDR要牛逼?不适应该性能差一截吗?

频率一样的话,就算小分内存差别不大的,只是标准电压可以推高到更高的频率,这样性能会更好

fishyumen

fishyumen


精华

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发表于 2017-04-23 00:50:56 8楼

看到楼主说ufs2的数据只有350,,就觉得有点洗地的感觉,基本上现在大厂的ufs2都在450~550这个数据之间,至少是emmc5.1的2倍数据,这个是实际速度上的差异,,其实说来,价格差异还真没速度差异大,,

war_cs

war_cs


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发表于 2017-04-23 18:29:03 9楼

华为=坑爹。。。。

qq_3k88k2341...

qq_3k88k2341gb2


精华

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发表于 2017-04-23 21:37:05 10楼

llseven 发表于 2017-04-21 16:18:28

自从菊花被国民认可后,价格就开始猛涨,品控也无法保证

你确定只是品控么,前一阵UFS 2.1和eMMC 5.0闪存门事件可不只是品控问题.

tigerzool

tigerzool


精华

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发表于 2017-04-24 07:40:01 11楼
内存与闪存的区别

dngrqq

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发表于 2017-04-24 09:25:01 12楼

qq_3k88k2341gb2 发表于 2017-04-23 21:37:05

你确定只是品控么,前一阵UFS 2.1和eMMC 5.0闪存门事件可不只是品控问题.

人品控制,简称品控

marszhchen

marszhchen


精华

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发表于 2017-04-24 10:53:19 13楼

我觉得别的不用说,一个半双工,一个全双工,这就够了

llseven

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精华

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发表于 2017-04-24 14:43:58 14楼

qq_3k88k2341gb2 发表于 2017-04-23 21:37:05

你确定只是品控么,前一阵UFS 2.1和eMMC 5.0闪存门事件可不只是品控问题.

品控包含你说的意思

gywgy

gywgy


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发表于 2017-04-28 22:08:53 15楼

看帖涨姿势了,谢谢

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