今日，IBM及其合作伙伴们高调宣布将会先于Intel进入22 nm工艺时代。消息称，IBM将会在2011年正式量产22 nm芯片，如果情况属实的话，这将是最近几十年来IBM首次在制程上领先于Intel。要想跟上节奏，Intel可能就不得不在研发上再多花点功夫了。
消息称，IBM所用的测试存储芯片SRAM（静态随机存储器）是业界首款用来测试22 nm工艺的半导体芯片，由AMD、Freescale、IBM、东芝以及CNSE共同开发生产，采用传统的设计方式——在300 mm晶圆上设置6三极管。据称，该测试芯片的磁心存储单元（memory cell）面积仅为0.1 μm2，这方面与Intel 0.346 μm2磁心存储匹元的面积相比具有不小的优势。
据了解，Intel曾经在去年9月份展示过业界首款32 nm SRAM测试晶圆，而且旗下32 nm CPU将会在本周的IDF论坛上正式亮相，不过事实上，Intel的22 nm SRAM测试晶圆至今还是遥遥无期。 IBM对于自己的32 nm制程技术同样信心十足，曾经许诺：“IBM的32 nm high-K metel gate制程工艺非常先进，其他任何一家公司所无法比拟。
”不过，与IBM对于其全新的32 nm high-K metel gate技术守口如瓶不同，Intel其实已经于去年年底就开始利用high-K metel gate技术生产45 nm Penryn了。 但是，尽管我们离22 nm以及32 nm芯片还有段时间，但是以目前的情况看，IBM以及AMD们在芯片制程工艺方面已经领先于Intel了。
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