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一，前言
Intel在Computex 2008大展开幕第一天6月3号正式发布了其桌面芯片组P45/P43/G45/G43， 其中以P45芯片组最为引人关注，北桥采用最新的65nm的工艺以及ICH10系列南桥芯片，暗示着P45芯片组将拥有更强大外频超频潜力以及更强大的磁盘性能。
 从Intel的Roadmap看到，P45芯片组与之前的P35/P965定位在“mainstream”，也就是说P45将在未来的一段时间里代替P35成为市场的主流，将带动主板产业对产品再一次的规格升级。
近日 本站收到微星送测的P45 Platinum，做为市面上第一款上市的高端P45产品，最让玩家们关注的P45在性能上的提升以及超频性能，作为一名玩家的笔者，将带大家透析此款产品的方方面面。
微星P45 Platinum （点击放大）
二，Intel 4/3系列芯片组规格对比
 上面的规格列表对比里，P45相对与P35最主要的区别在于P45支持DDR3 1333，PCI-E 2.0规格，并且PCI-E可实现双8X模式，同时面对越来越高的硬盘需求，6个SATA接口相信能满足用户的需求。
 Intel P45北桥实物，送测产品依然为工程样品阶段
 对于P45北桥，我们采用游标卡尺对其物理面积进行测量，从液晶屏幕显示，长为11mm。
 其宽为9.3mm,所以P45北桥的物理面积约为102.3平方毫米。
 Intel ICH10R南桥实图，ES代表工程样品
 ICH10系列相比以往的南桥，最大改进是将原生SATA接口扩展到6个，而在其他规格上并无太大改进，另外依然保留了带“R”方可支持RAID功能，这相对NVIDIA芯片组开放性有所限制，但是在磁盘稳定性方面,Intel的芯片组则表现更加优秀。
三，微星P45 Platinum赏析与说明
虽然此次微星送测产品依然还只是测试样品，不过还是有零售版的包装。
微星P45 Platinum，采用象征高端的黑色PCB基板，全板固态电容，并且主板上几乎找不到空焊的地方（下图为高分辨率图，可点击查看），而芯片组散热片较MSI此前的P35上采用的“过山车”散热器有过之而无不及。 （点击放大）
处理器采用“怪异”的五相供电设计，电感方面采用R50全封闭式铁素体电感。
“Drmos”是这片主板上的一个卖点，通过它实现主板节能高效。
卸下散热器之后，MOSFET位置上焊的是一颗颗四四方方的陌生芯片，这比起常见主板上的MOSFET管样子根本不一样。
通过芯片上的““RENESAS/R2J20602/7M4S454”搜索后得知这是一家日 本的半导体厂商，这种“R2J20602”的DrMOS芯片，是将功率开关管MOSFET和驱动MOSFET的驱动IC集成到一颗芯片内，采用这种设计自然有他过人之处，DrMOS电能转换效率比传统MOS提高5%，电流变化的瞬态响应时间比传统MOS快一倍，功耗小温度低，至于其工作到底多少度，下文会有相关测试。
主板采用Intersil的ISL 6336A PWM控制芯片，通过此颗芯片实现对CPU/内存/北桥供电相位数控，简单理解就是类似技嘉的DES节能功能，通过动态自动调节供电相数达到高效节能目的，MSI称这项节能技术为“Green Power”。
主板北桥上夸张的铜制散热片，在实际测试中被动散热足够压制P45芯片的发热。
北桥采用两相独立供电设计。
南桥散热片，虽然ICH10R发热并不大，不过依然采用两根热管将热量传递到北桥上的散热鳍片带走热量。
主板上的夸张的被动式散热系统，这东西的正式名叫“Circu-Pipe 2巡回导管散热技术”，不足之处则是北桥固定孔为经过多此拆卸后容易滑牙。
夸张的热管似乎与体积较大的CPU散热器不大兼容，扣具处被MOSFET上的散热片挡住了。
把南海2散热器旋转90度，这次则顶到另一端......看来还需改进。
4条支持DDR2内存槽。
内存电路方面采用扎实的两相供电。
PCI扩展接口，两条PCI-E显卡槽并支持PCI-E 2.0规范，单卡时为全速的16X，双卡组交叉火力时工作在8X+8X，相对P35的16X+4X双卡运行3D性能更优越。
MS-7512 1.1版本。
设置默认外频的跳帽在MSI P35-FR已经见过了，可实现对CPU硬超，而PLL芯片则采用“9LPRS113AKLF"，我们尝试使用SetFSB软超工具进行调试时则发现SetFSB暂未对此PLL芯片提供支持。
 SetFSB操作界面。
共8个SATA接口，其中横放6个，在硬盘扩展上不是问题。
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