精转ASUS P5K大型详细超频攻略 高手新手都有必要一看

CAS# Latency: 该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第1个参数, 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为3或4的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。



RAS# TO CAS$ Delay: 该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第2个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD、tRTC)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。



RAS# Precharge

该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第3个4。DRAM RAS# Precharge (也被描述为：tRP、Row Precharge Timing、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。



RAS# Activate to precharge

该值就是该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数。 (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time) 这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（ tRAS ），它表示一个行地址从激活到复位的时间。tRAS 过长，会严重影响性能。减少 tRAS 可以使得被激活的行地址更快的复位，然而， tRAS 太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。简单来说，tRAS值越低越好，而提高tRAS值也提高内存的稳定性。在调整tRAS值的时候，需要顾及tCL值和tRCD值这个参数，这里有个公式可以供给大家参考。tRAS = tCL + tRCD  + 2（举例，当tCL值设置为5、tRCD为5的时候，那么这时tRAS的最佳设定值为12）由于部分主板厂商并没有提供tras值全部数值，所以大家要尽量调低tras值的时候。不过一般只要是10以下的tRAS不论如何设置其性能和稳定性都不会有太大的变化，事实上从DDR起它早已经变得越来越不重要。



DRAM Write Recovery Time (tWR)

DRAM Write Recovery Time是“写恢复时间”， 该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。它对内存设置影响理论上应该是有一些的，但是对于高频内存来说这种程度会小很多，因此这个项目的延迟也是尽可能的设置得越低越好



DRAM TRFC  (tRFC)

描述为RowRefresh Cycle Time（tRFC）,在Memset里叫做Refresh Cycle time 。这个设定代表在同一bank中刷新一个单独的行所需的时间。同时还是同一bank中两次刷新指令的间隔时间，这个数值内存厂商总是设置得相当大，可以说大得离谱了，SPD直接设定都是40到60左右，实际可稳定运行的值则在20到30附近。tRFC参数对性能，对延迟，对稳定性均无太大的影响。





DRAM TRRD  (tRRD)

Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，在Memset 中描述为Act. to Act.Delayed (tRRD) 。此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电时间。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。(tRRD) 参数对性能，对延迟影响较小，对稳定性影响一般。



Rank Write to Read Delay  (tWTR)



Write to Read Delay (tWTR) 在Memset 中描述为：Write to Read Delayed(tWTR)表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR2内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。该参数对内存带宽和稳定性影响也很小

如图：



Read to Precharge Delay  (tRTP)  

内部读取到预充电命令延迟，Memset中叫做 Read to Precharge(tRTP)

 

DRAM Static Read Control  (ASUS独家的内存加速技术)注：通常设定为自动，当内存频超得过高时最好使用“Disable”的禁用状态，避免出现不稳定或者无法开机的情况。



Transaction Booster  (处理加速器)  注: Enable将提高内存的超频性与效能,选项有0与1 两个等级，实际上开启后也感觉不到什么提升。大家可以考虑AUTO就好



Clock over-Charging Mode  调整CPU 时钟频率的振幅, 通常的设定是 1000mv,800mv



CPU Spread Spectrum (CPU 扩展频谱) 注：超频时请设定为Disabled



PCIE Spread Spectrum (PCIE 扩展频谱) 注：超频时请设定为Disabled



CPU Voltage  (CPU电压设定)注：可以通过此选项给CPU增加电压，当超不了的时候，再慢慢升高电压，不要来开始就猛加！



CPU Voltage Reference (CPU参考电压设定) 也就是让你设定的电压与实际电压更加接近近,相当于起到一个校准的作用。通常设置为 0.63x 与0.59x



CPU Voltage Damper  (CPU Vcore 电压抑制)当开启时，可以让CPU Vcore电压稳流的作用,当满载的时候电压不至于下降，也就是减少电压的Vdroop



CPU PLL Voltage （CPU频率控制芯片电压设定）通常为1.7V，不过个人比较喜欢直接1.8V



DRAM Voltage (内存电压设定)  这个选项大家根据自己的内存电压来进行设置，当超内存的时候可以适当的增加。

FSB Termination Voltage (FSB前端总线电压设定)注：通过提高FSB总线电压有助于提升级高外频运行的稳定性



North Bridge Voltage  (北桥核心电压设定) 注：这个先项比较重要，电压一定要管够哦，加压后北桥的发热量也会更前提高。 平常1.55V就差不多了。



North Bridge Voltage Reference (北桥参考电压设定) AUTO ,手动设定都可以，影响不是很大的。



South Bridge Voltage  (南桥核心电压)  



第三步：设定完成后我们进入“Advanced”选项的“CPU Configuration”子菜单。并选择CPU Configuration 进入，在这里我们看到的信息全部是有关CPU的，其中包括CPU目前运行频率、系统总线频率、CPU的缓存信息，除开修改倍频的CPU Ratio Control选项外，其它外部禁用。 如图1-5

最后一点了!